Low defect InGaAs quantum well selectively grown by MOCVD on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices

Abstract : no abstract
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Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2014, 104, pp.262103
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Contributeur : Laboratoire Inl <>
Soumis le : mardi 14 mars 2017 - 16:38:42
Dernière modification le : vendredi 25 août 2017 - 01:07:51

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  • HAL Id : hal-01489898, version 1

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R. Cipro, T. Baron, M. Martin, J. Moeyaert, S. David, et al.. Low defect InGaAs quantum well selectively grown by MOCVD on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devices. Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2014, 104, pp.262103. 〈hal-01489898〉

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