In situ defect studies on Si$^+$ implanted InP - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physics D: Applied Physics Année : 1990

In situ defect studies on Si$^+$ implanted InP

Jocelyne Lorgeril  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.in2p3.fr/in2p3-00001081

Soumis le : lundi 29 mars 1999-16:20:35

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00001081 , version 1 (29-03-1999)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00001081 , version 1

Citer

P. Zheng, M.O. Ruault, O. Kaitasov, J. Crestou, B. Descouts, et al.. In situ defect studies on Si$^+$ implanted InP. Journal of Physics D: Applied Physics, 1990, 23, pp.877-883. ⟨in2p3-00001081⟩

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