High resolution and in situ investigation of defects in Bi-irradiated Si - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Philosophical Magazine a Année : 1984

High resolution and in situ investigation of defects in Bi-irradiated Si

Domaines

Instrumentations et Détecteurs [physics.ins-det]

Jocelyne Lorgeril  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.in2p3.fr/in2p3-00001625

Soumis le : vendredi 16 avril 1999-11:04:05

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00001625 , version 1 (16-04-1999)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00001625 , version 1

Citer

M.O. Ruault, J. Chaumont, J.M. Penisson, A. Bourret. High resolution and in situ investigation of defects in Bi-irradiated Si. Philosophical Magazine a, 1984, 50, pp.667-675. ⟨in2p3-00001625⟩

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