Electrical properties of hydrogen bombarded silicon surfaces - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Vacuum Année : 1986

Electrical properties of hydrogen bombarded silicon surfaces

Yvette Heyd  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.in2p3.fr/in2p3-00006152

Soumis le : vendredi 22 septembre 2000-09:03:24

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00006152 , version 1 (22-09-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00006152 , version 1

Citer

A. Barhdadi, J.P. Ponpon, A. Grob, J.J. Grob, A. Mesli, et al.. Electrical properties of hydrogen bombarded silicon surfaces. Vacuum, 1986, 36, pp.705-710. ⟨in2p3-00006152⟩

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