Caracterisation de la resistance aux radiations du silicium monocristallin de type n de haute purete et haute resistivite application au developpement de detecteurs a pixels pour l'experience ATLAS aupres du collisionneur LHC

C. Arrighi 1
1 CPPM - Centre de Physique des Particules de Marseille
Document type :
Theses
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http://hal.in2p3.fr/in2p3-00009872
Contributor : Magali Damoiseaux <>
Submitted on : Tuesday, March 6, 2001 - 10:46:04 AM
Last modification on : Thursday, January 18, 2018 - 1:54:31 AM

Identifiers

  • HAL Id : in2p3-00009872, version 1

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CPPM | CNRS | IN2P3 | UNIV-AMU

Citation

C. Arrighi. Caracterisation de la resistance aux radiations du silicium monocristallin de type n de haute purete et haute resistivite application au developpement de detecteurs a pixels pour l'experience ATLAS aupres du collisionneur LHC. Instrumentation and Detectors [physics.ins-det]. Université de la Méditerranée - Aix-Marseille II, 1995. English. ⟨in2p3-00009872⟩

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