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Approche theorique de la photoemission de champ a partir de semiconducteurs degeneres. - Cas des pointes de silicium faiblement dope P

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http://hal.in2p3.fr/in2p3-00010843
Contributor : Jeanine Pellet Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Monday, March 27, 2000 - 4:57:12 PM
Last modification on : Tuesday, April 20, 2021 - 12:00:05 PM

Identifiers

  • HAL Id : in2p3-00010843, version 1

Citation

A. Chbihi El Wahoudi. Approche theorique de la photoemission de champ a partir de semiconducteurs degeneres. - Cas des pointes de silicium faiblement dope P. Instrumentation and Detectors [physics.ins-det]. Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II, 1996. English. ⟨in2p3-00010843⟩

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