Ellipsometric studies of annealing of SiO$_2$ layers during the formation of light-emitting Si nanocrystals in them - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Optics and Spectroscopy Année : 2001

Ellipsometric studies of annealing of SiO$_2$ layers during the formation of light-emitting Si nanocrystals in them

T. Khasanov
  • Fonction : Auteur
A.S. Mardezhov
  • Fonction : Auteur
S.G. Yanovskaya
  • Fonction : Auteur
G.A. Kachurin
  • Fonction : Auteur
O. Kaitasov
  • Fonction : Auteur
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Soumis le : mercredi 13 février 2002-15:41:10

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

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Dates et versions

in2p3-00011201 , version 1 (13-02-2002)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00011201 , version 1

Citer

T. Khasanov, A.S. Mardezhov, S.G. Yanovskaya, G.A. Kachurin, O. Kaitasov. Ellipsometric studies of annealing of SiO$_2$ layers during the formation of light-emitting Si nanocrystals in them. Optics and Spectroscopy, 2001, 90, pp.924-927. ⟨in2p3-00011201⟩

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