Depth profiles of interstitial halogen defects in high energy ion bombarded alkali iodides by micro-raman spectroscopy - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Année : 1996

Depth profiles of interstitial halogen defects in high energy ion bombarded alkali iodides by micro-raman spectroscopy

M.A. Pariselle
  • Fonction : Auteur
S. Lefrant
  • Fonction : Auteur
B. Ramstein
  • Fonction : Auteur
Institut de Physique Nucléaire d'Orsay
J.D. Comins
  • Fonction : Auteur
E. Balanzat
  • Fonction : Auteur

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Instrumentations et Détecteurs [physics.ins-det]

Marie-Christine Blanchet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.in2p3.fr/in2p3-00014664

Soumis le : lundi 14 juin 1999-15:51:57

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00014664 , version 1 (14-06-1999)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00014664 , version 1

Citer

M.A. Pariselle, S. Lefrant, B. Ramstein, J.D. Comins, E. Balanzat. Depth profiles of interstitial halogen defects in high energy ion bombarded alkali iodides by micro-raman spectroscopy. International Conference On Swift Heavy Ions In Matter.3,Shim95, May 1995, Caen, France. pp.250-253. ⟨in2p3-00014664⟩

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