A simple procedure based on the pcd method for determination of recombination lifetime and surface recombination velocity in silicon - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Measurement Science and Technology Année : 1994

A simple procedure based on the pcd method for determination of recombination lifetime and surface recombination velocity in silicon

Yvette Heyd  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.in2p3.fr/in2p3-00015643

Soumis le : vendredi 19 mai 2000-09:13:10

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

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Dates et versions

in2p3-00015643 , version 1 (19-05-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00015643 , version 1

Citer

J.C. Fontaine, S. Barthe, J.P. Ponpon, J.P. Schunck, P. Siffert. A simple procedure based on the pcd method for determination of recombination lifetime and surface recombination velocity in silicon. Measurement Science and Technology, 1994, 5, pp.47-50. ⟨in2p3-00015643⟩

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