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Reacteur VUV a decharge interne pour le depot en couches minces de silicium amorphe d'oxyde et de nitrure de silicium

Document type :
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http://hal.in2p3.fr/in2p3-00016014
Contributor : Yvette Heyd <>
Submitted on : Tuesday, June 6, 2000 - 2:38:25 PM
Last modification on : Thursday, April 23, 2020 - 2:26:19 PM

Identifiers

  • HAL Id : in2p3-00016014, version 1

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Citation

C. Fuchs, R. Henck, E. Fogarassy. Reacteur VUV a decharge interne pour le depot en couches minces de silicium amorphe d'oxyde et de nitrure de silicium. Annales de Physique, EDP Sciences, 1992, 17C1, pp.59-60. ⟨in2p3-00016014⟩

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