Article Dans Une Revue
Materials Science and Engineering
Année : 1990
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.in2p3.fr/in2p3-00016156
Soumis le : jeudi 29 juin 2000-08:04:16
Dernière modification le : mardi 7 novembre 2023-11:28:04
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00016156 , version 1
Citer
S. Zekeng, B. Prevot, C. Schwab. Si implantation of GaAs at low and medium doses: Raman assessment of dopant activation. Materials Science and Engineering, 1990, B5, pp.269. ⟨in2p3-00016156⟩
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