Transverse straggling of MeV oxygen ions implanted in silicon - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nuclear Instruments and Methods Année : 1988

Transverse straggling of MeV oxygen ions implanted in silicon

J.J. Grob
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
A. Grob
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques
P. Thevenin
  • Fonction : Auteur
P. Siffert
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches Subatomiques

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https://hal.in2p3.fr/in2p3-00017486

Soumis le : mardi 26 septembre 2000-16:44:38

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-00017486 , version 1 (26-09-2000)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00017486 , version 1

Citer

J.J. Grob, A. Grob, P. Thevenin, P. Siffert. Transverse straggling of MeV oxygen ions implanted in silicon. Nuclear Instruments and Methods, 1988, 34, pp.830. ⟨in2p3-00017486⟩

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