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Theses

Role des recuits transitoires dans la generation des defauts electriquement actifs dans le silicium: effet Getter

B. Hartiti 1
1 IReS - Institut de Recherches Subatomiques
Document type :
Theses
Complete list of metadata
http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019164
Contributor : Yvette Heyd <>
Submitted on : Monday, February 26, 2001 - 1:36:12 PM
Last modification on : Thursday, April 23, 2020 - 2:26:20 PM

Identifiers

  • HAL Id : in2p3-00019164, version 1

Collections

CNRS | IN2P3 | CGE | SITE-ALSACE

Citation

B. Hartiti. Role des recuits transitoires dans la generation des defauts electriquement actifs dans le silicium: effet Getter. Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 1990. English. ⟨in2p3-00019164⟩

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