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in2p3-00019164, version 1
Theses
Role des recuits transitoires dans la generation des defauts electriquement actifs dans le silicium: effet Getter
B. Hartiti
1
Details
1
IReS - Institut de Recherches Subatomiques
B. Hartiti
1
AuthorId : 37972
Author
1
IReS - Institut de Recherches Subatomiques
(23 rue du Loess - BP 28 - 67037 Strasbourg Cedex 2 - France)
StructId : 125
IN2P3 - Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS
(France)
StructId : 300046
Cancéropôle du Grand Est
(France)
StructId : 300247
Université Louis Pasteur - Strasbourg I
(France)
StructId : 300320
CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique
: UMR7500
(France)
StructId : 441569
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Document type
:
Theses
Complete list of metadata
Display
http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019164
Contributor :
Yvette Heyd
<
>
Submitted on : Monday, February 26, 2001 - 1:36:12 PM
Last modification on : Thursday, April 23, 2020 - 2:26:20 PM
Identifiers
HAL Id :
in2p3-00019164, version 1
Collections
CNRS
|
IN2P3
|
CGE
|
SITE-ALSACE
Citation
B. Hartiti. Role des recuits transitoires dans la generation des defauts electriquement actifs dans le silicium: effet Getter. Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 1990. English.
⟨in2p3-00019164⟩
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