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Diffusion Raman pour les modes couples phonon-plasmon. Application a GaAs dope Si par implantation ionique. Effet de la dose et du mode de recuit thermique

Document type :
Theses
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http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019167
Contributor : Yvette Heyd Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Monday, February 26, 2001 - 1:41:58 PM
Last modification on : Thursday, April 23, 2020 - 2:26:20 PM

Identifiers

  • HAL Id : in2p3-00019167, version 1

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Citation

S. Zekeng. Diffusion Raman pour les modes couples phonon-plasmon. Application a GaAs dope Si par implantation ionique. Effet de la dose et du mode de recuit thermique. Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 1990. English. ⟨in2p3-00019167⟩

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