Rapid thermal annealing of electrically-active defects in virgin and implanted silicon

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Applied Physics A, Springer Verlag, 1987, 42, pp.227-232
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Contributeur : Yvette Heyd <>
Soumis le : jeudi 31 mai 2001 - 08:10:44
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W.O. Adekoya, J.C. Muller, P. Siffert. Rapid thermal annealing of electrically-active defects in virgin and implanted silicon. Applied Physics A, Springer Verlag, 1987, 42, pp.227-232. 〈in2p3-00019463〉

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