Rapid thermal annealing of electrically-active defects in virgin and implanted silicon

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Applied Physics A, Springer Verlag, 1987, 42, pp.227-232


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Contributeur : Yvette Heyd <>
Soumis le : jeudi 31 mai 2001 - 08:10:44
Dernière modification le : jeudi 31 mai 2001 - 08:10:44

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W.O. Adekoya, J.C. Muller, P. Siffert. Rapid thermal annealing of electrically-active defects in virgin and implanted silicon. Applied Physics A, Springer Verlag, 1987, 42, pp.227-232. <in2p3-00019463>

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