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| HAL : in2p3-00019467, version 1 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Journal of Applied Physics 56 (1984) 1878-1880 |
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| Direct measurement of the maximum depth phase change of crystal silicon under pulsed laser irradiation |
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| M. Toulemonde1R. Heddache1F. Nielsen1P. Siffert1 |
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| (1984) |
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| 1 : | IReS - Institut de Recherches Subatomiques |
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| Thème(s) | : | Physique/Physique/Instrumentations et Détecteurs |
| in2p3-00019467, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019467 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00019467 | |
| Contributeur : Yvette Heyd | |
| Soumis le : Jeudi 31 Mai 2001, 08:44:33 | |
| Dernière modification le : Jeudi 31 Mai 2001, 08:44:33 | |
