Direct measurement of the maximum depth phase change of crystal silicon under pulsed laser irradiation

M. Toulemonde 1 R. Heddache 1 F. Nielsen 1 P. Siffert 1
1 IReS - Institut de Recherches Subatomiques
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Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 1984, 56, pp.1878-1880
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Contributeur : Yvette Heyd <>
Soumis le : jeudi 31 mai 2001 - 08:44:33
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M. Toulemonde, R. Heddache, F. Nielsen, P. Siffert. Direct measurement of the maximum depth phase change of crystal silicon under pulsed laser irradiation. Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 1984, 56, pp.1878-1880. 〈in2p3-00019467〉

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