Direct measurement of the maximum depth phase change of crystal silicon under pulsed laser irradiation

M. Toulemonde 1 R. Heddache 1 F. Nielsen 1 P. Siffert 1
1 IReS - Institut de Recherches Subatomiques
Type de document :
Article dans une revue
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 1984, 56, pp.1878-1880
Liste complète des métadonnées
http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019467
Contributeur : Yvette Heyd <>
Soumis le : jeudi 31 mai 2001 - 08:44:33
Dernière modification le : jeudi 31 mai 2001 - 08:44:33

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-00019467, version 1

Collections

DRS-IPHC | CGE

Citation

M. Toulemonde, R. Heddache, F. Nielsen, P. Siffert. Direct measurement of the maximum depth phase change of crystal silicon under pulsed laser irradiation. Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 1984, 56, pp.1878-1880. <in2p3-00019467>

Exporter

BibTeX TEI DC DCterms EndNote

Partager

Métriques

Consultations de la notice

44

Contact

support.ccsd.cnrs.fr
hal.support@ccsd.cnrs.fr
Logo CCSD