Article Dans Une Revue
Applied physics. A, Materials science & processing
Année : 1983
Yvette Heyd : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.in2p3.fr/in2p3-00019477
Soumis le : jeudi 31 mai 2001-10:20:48
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00019477 , version 1
Citer
A. Mesli, J.C. Muller, P. Siffert. Deep levels subsisting in ion implanted silicon after various transient thermal annealing procedures. Applied physics. A, Materials science & processing, 1983, A31, pp.147-152. ⟨in2p3-00019477⟩
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