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Journal articles
Epitaxial growth of GdN on silicon substrate using an AlN buffer layer
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CRHEA - Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (Bat. 5 Rue Bernard Grégory 06560 VALBONNE - France)
- UNS - Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (Parc Valrose - BP 2135 - 06103 Nice cedex 2 - France)
- COMUE UCA - COMUE Université Côte d'Azur (2015 - 2019) (Parc Valrose, 28 avenue Valrose 06108 Nice Cedex 2 - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UPR10 (France)
- UCA - Université Côte d'Azur (Parc Valrose, 28 avenue Valrose 06108 Nice Cedex 2 - France)
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CENBG - Centre d'Etudes Nucléaires de Bordeaux Gradignan (Chemin du Solarium - BP 120 - 33175 Gradignan Cedex - France)
- Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (351 cours de la Libération - 33405 Talence cedex - France)
- IN2P3 - Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5797 (France)
Document type :
Journal articles
Complete list of metadata
http://hal.in2p3.fr/in2p3-00585159
Contributor : Virginie Mas <>
Submitted on : Monday, April 11, 2011 - 10:52:33 PM
Last modification on : Monday, October 12, 2020 - 10:27:32 AM
Contributor : Virginie Mas <>
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Identifiers
- HAL Id : in2p3-00585159, version 1
- DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2010.09.030
Collections
IN2P3 | CENBG | CNRS | UNICE | UNIV-COTEDAZUR
Citation
F. Natali, N. Plank, J. Galipaud, B.J. Ruck, H. J. Trodahl, et al.. Epitaxial growth of GdN on silicon substrate using an AlN buffer layer. Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2010, 312, pp.3583-3587. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2010.09.030⟩. ⟨in2p3-00585159⟩
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