Optical and structural properties of silicon oxynitride deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

J. Dupuis; E. Fourmond; D. Ballutaud; N. Bererd; M. Lemiti

doi:10.1016/j.tsf.2010.09.036

Optical and structural properties of silicon oxynitride deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

J. Dupuis ¹ E. Fourmond ¹ D. Ballutaud ² N. Bererd ³ M. Lemiti ¹

1 INL - PV - INL - Photovoltaïque

INL - Institut des Nanotechnologies de Lyon

2 GEMAC - Groupe d'Etude de la Matière Condensée

3 ACE

IPNL - Institut de Physique Nucléaire de Lyon

Abstract : 1 Corresponding author.

Keywords : UCBL 43 boulevard du 11 novembre 1918 69622 Villeurbanne cedex France

Type de document :

Article dans une revue

Thin Solid Films, Elsevier, 2010, 519, pp.1325-1333. 〈10.1016/j.tsf.2010.09.036〉

Domaine :

Chimie / Radiochimie

Liste complète des métadonnées

http://hal.in2p3.fr/in2p3-00734027
Contributeur : Sylvie Flores <>
Soumis le : jeudi 10 janvier 2019 - 09:42:42
Dernière modification le : jeudi 10 janvier 2019 - 13:46:02

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