Investigation of Mg2(Si,Sn) thin films for integrated thermoelectric devices - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Investigation of Mg2(Si,Sn) thin films for integrated thermoelectric devices

C. Prahoveanu
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de Physique Subatomique et de Cosmologie
A. Lacoste
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1271176
Laboratoire de Physique Subatomique et de Cosmologie
C. de Vaulx
  • Fonction : Auteur
K. Azzouz
  • Fonction : Auteur
Stéphane Béchu
Laboratoire de Physique Subatomique et de Cosmologie
CV
L. Laversenne
Matériaux, Rayonnements, Structure

Domaines

Physique des plasmas [physics.plasm-ph]

Emmanuelle Vernay  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.in2p3.fr/in2p3-01026194

Soumis le : lundi 21 juillet 2014-09:20:20

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-01026194 , version 1 (21-07-2014)

Identifiants

  • HAL Id : in2p3-01026194 , version 1

Citer

C. Prahoveanu, A. Lacoste, C. de Vaulx, K. Azzouz, Stéphane Béchu, et al.. Investigation of Mg2(Si,Sn) thin films for integrated thermoelectric devices. International Conference on Thermoelectrics (ICT2014), Jul 2014, Nashville, United States. ⟨in2p3-01026194⟩

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