An HEMT-Based Cryogenic Charge Amplifier for Sub-kelvin Semiconductor Radiation Detectors - IN2P3 - Institut national de physique nucléaire et de physique des particules Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

An HEMT-Based Cryogenic Charge Amplifier for Sub-kelvin Semiconductor Radiation Detectors

A. Phipps
  • Fonction : Auteur
B. Sadoulet
  • Fonction : Auteur
Y. Jin
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

in2p3-01331546 , version 1 (14-06-2016)

Identifiants

Citer

A. Phipps, B. Sadoulet, A. Juillard, Y. Jin. An HEMT-Based Cryogenic Charge Amplifier for Sub-kelvin Semiconductor Radiation Detectors. 16th International Workshop on Low Temperature Detectors (LTD 16), Jul 2016, Grenoble, France. pp.505-511, ⟨10.1007/s10909-016-1475-2⟩. ⟨in2p3-01331546⟩
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