Reactive gas pulsing sputtering process, a promising technique to elaborate silicon oxynitride multilayer nanometric antireflective coatings

F Farhaoui; A. Bousquet; R Smaali; A. Moreau; E Centeno; C Cellier; C. Bernard; R Rapegno; F Réveret; E Tomasella

doi:10.1088/1361-6463/50/1/015306

Home
Submit
Browse
Search

Journal articles

Reactive gas pulsing sputtering process, a promising technique to elaborate silicon oxynitride multilayer nanometric antireflective coatings

F Farhaoui ¹ A. Bousquet ¹ R Smaali ² A. Moreau ² E Centeno ² C Cellier ¹ C. Bernard ³ R Rapegno ³ F Réveret ² E Tomasella ¹

1 ICCF - Institut de Chimie de Clermont-Ferrand

2 IP - Institut Pascal

3 IPNL - Institut de Physique Nucléaire de Lyon

F Farhaoui ¹ AuthorId : 1448985
Author

A. Bousquet ¹ AuthorId : 12122129

Author IdHAL : angeliquebousquet ORCID : https://orcid.org/0000-0001-8493-5468

R Smaali ² AuthorId : 1448986
Author

A. Moreau ² AuthorId : 35460
Author

E Centeno ² AuthorId : 1448987
Author

C Cellier ¹ AuthorId : 1448988
Author

C. Bernard ³ AuthorId : 120236
Author

R Rapegno ³ AuthorId : 1448989
Author

F Réveret ² AuthorId : 1119316

Author IdHAL : francois-reveret

E Tomasella ¹ AuthorId : 1106178
Author

1 ICCF - Institut de Chimie de Clermont-Ferrand (24 Avenue des Landais, 63177 Aubière Cedex - France) StructId : 179392

UBP - Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand 2 : UMR6296 (34, avenue Carnot - BP 185 / 63006 Clermont-Ferrand cedex - France) StructId : 205618
SIGMA Clermont - SIGMA Clermont (SIGMA Clermont / Campus des Cézeaux / CS 20265 / 63178 Aubière Cedex - France) StructId : 322672
CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6296 (France) StructId : 441569

2 IP - Institut Pascal (Campus Universitaire des Cézeaux, 4 avenue Blaise Pascal, TSA 60026 / CS 60026, 63178 Aubière Cedex - France) StructId : 186882

CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6602 (France) StructId : 441569
SIGMA Clermont - SIGMA Clermont (SIGMA Clermont / Campus des Cézeaux / CS 20265 / 63178 Aubière Cedex - France) StructId : 322672
UBP - Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand 2 : UMR6602 (34, avenue Carnot - BP 185 / 63006 Clermont-Ferrand cedex - France) StructId : 205618

3 IPNL - Institut de Physique Nucléaire de Lyon (Campus LyonTech-la Doua Bâtiment Paul DIRAC 4 Rue Enrico Fermi 69622 Villeurbanne Cedex - France) StructId : 2

UCBL - Université Claude Bernard Lyon 1 (43, boulevard du 11 novembre 1918, 69622 Villeurbanne cedex - France) StructId : 194495
- Université de Lyon (92 rue Pasteur - CS 30122, 69361 Lyon Cedex 07 - France) StructId : 301088
IN2P3 - Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (France) StructId : 300046
CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5822 (France) StructId : 441569

Document type :

Journal articles

Domain :

Physics [physics] / Physics [physics] / Chemical Physics [physics.chem-ph]

Complete list of metadatas

http://hal.in2p3.fr/in2p3-01430655
Contributor : Dominique Girod <>
Submitted on : Tuesday, January 10, 2017 - 10:29:08 AM
Last modification on : Thursday, February 25, 2021 - 9:12:04 AM

Identifiers

HAL Id : in2p3-01430655, version 1
DOI : 10.1088/1361-6463/50/1/015306

Collections

Citation

F Farhaoui, A. Bousquet, R Smaali, A. Moreau, E Centeno, et al.. Reactive gas pulsing sputtering process, a promising technique to elaborate silicon oxynitride multilayer nanometric antireflective coatings. Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2017, 50 (1), pp.015306. ⟨10.1088/1361-6463/50/1/015306⟩. ⟨in2p3-01430655⟩

Reactive gas pulsing sputtering process, a promising technique to elaborate silicon oxynitride multilayer nanometric antireflective coatings

Identifiers

Collections

Citation

Export

Metrics

236

Reactive gas pulsing sputtering process, a promising technique to elaborate silicon oxynitride multilayer nanometric antireflective coatings

Identifiers

Collections

Citation

Export

Share

Metrics

236