Reactive gas pulsing sputtering process, a promising technique to elaborate silicon oxynitride multilayer nanometric antireflective coatings

F Farhaoui; A. Bousquet; R Smaali; A. Moreau; E Centeno; C Cellier; C. Bernard; R Rapegno; F Réveret; E Tomasella

doi:10.1088/1361-6463/50/1/015306

Reactive gas pulsing sputtering process, a promising technique to elaborate silicon oxynitride multilayer nanometric antireflective coatings

F Farhaoui ¹ A. Bousquet ¹ R Smaali ² A. Moreau ² E Centeno ² C Cellier ¹ C. Bernard ³ R Rapegno ³ F Réveret ² E Tomasella ¹

1 ICCF - Institut de Chimie de Clermont-Ferrand

2 IP - Institut Pascal

3 IPNL - Institut de Physique Nucléaire de Lyon

Type de document :

Article dans une revue

Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2017, 50 (1), pp.015306. 〈10.1088/1361-6463/50/1/015306〉

Domaine :

Physique [physics] / Physique [physics] / Chimie-Physique [physics.chem-ph]

Liste complète des métadonnées

http://hal.in2p3.fr/in2p3-01430655
Contributeur : Dominique Girod <>
Soumis le : mardi 10 janvier 2017 - 10:29:08
Dernière modification le : mercredi 24 octobre 2018 - 10:22:10

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