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Journal articles
Reactive gas pulsing sputtering process, a promising technique to elaborate silicon oxynitride multilayer nanometric antireflective coatings
F Farhaoui
1
A. Bousquet
1
R Smaali
2
A. Moreau
2
E Centeno
2
C Cellier
1
C. Bernard
3
R Rapegno
3
F Réveret
2
E Tomasella
1
F Farhaoui 1
Author
A. Bousquet 1
Author IdHAL : angeliquebousquet ORCID : https://orcid.org/0000-0001-8493-5468
R Smaali 2
Author
A. Moreau 2
Author
F Réveret 2
Author IdHAL : francois-reveret
E Tomasella 1
Author
1
ICCF - Institut de Chimie de Clermont-Ferrand (24 Avenue des Landais, 63177 Aubière Cedex - France)
- INC - Institut de Chimie du CNRS (3 Rue Michel-Ange 75 016 Paris - France)
- SIGMA Clermont - SIGMA Clermont (SIGMA Clermont / Campus des Cézeaux / CS 20265 / 63178 Aubière Cedex - France)
- UBP - Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand 2 : UMR6296 (34, avenue Carnot - BP 185 / 63006 Clermont-Ferrand cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6296 (France)
2
IP - Institut Pascal (Campus Universitaire des Cézeaux, 4 avenue Blaise Pascal, TSA 60026 / CS 60026, 63178 Aubière Cedex - France)
- UBP - Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand 2 : UMR6602 (34, avenue Carnot - BP 185 / 63006 Clermont-Ferrand cedex - France)
- SIGMA Clermont - SIGMA Clermont (SIGMA Clermont / Campus des Cézeaux / CS 20265 / 63178 Aubière Cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6602 (France)
3
IPNL - Institut de Physique Nucléaire de Lyon (Campus LyonTech-la Doua
Bâtiment Paul DIRAC
4 Rue Enrico Fermi
69622 Villeurbanne Cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5822 / UMR6422 (France)
- UCBL - Université Claude Bernard Lyon 1 (43, boulevard du 11 novembre 1918, 69622 Villeurbanne cedex - France)
- Université de Lyon (92 rue Pasteur - CS 30122, 69361 Lyon Cedex 07 - France)
- IN2P3 - Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (France)
Document type :
Journal articles
Complete list of metadata
http://hal.in2p3.fr/in2p3-01430655
Contributor : Dominique Girod Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Tuesday, January 10, 2017 - 10:29:08 AM
Last modification on : Friday, January 7, 2022 - 3:53:05 AM
Contributor : Dominique Girod Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Tuesday, January 10, 2017 - 10:29:08 AM
Last modification on : Friday, January 7, 2022 - 3:53:05 AM
Identifiers
- HAL Id : in2p3-01430655, version 1
- DOI : 10.1088/1361-6463/50/1/015306
Collections
IN2P3 | CNRS | INSTITUT_PASCAL | INC-CNRS | ICC | PRES_CLERMONT | UNIV-LYON1 | IP2I | UDL
Citation
F Farhaoui, A. Bousquet, R Smaali, A. Moreau, E Centeno, et al.. Reactive gas pulsing sputtering process, a promising technique to elaborate silicon oxynitride multilayer nanometric antireflective coatings. Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2017, 50 (1), pp.015306. ⟨10.1088/1361-6463/50/1/015306⟩. ⟨in2p3-01430655⟩
Metrics
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