HAL : in2p3-00739573, version 1

DOI : 10.1080/09500839.2012.713133

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Philosophical Magazine Letters 92 (2012) 633-639

Recrystallization of amorphous ion implanted silicon carbide after thermal annealing

S. Miro1, J.-M. Costantini1, S. Sorieul2, L. Gosmain1, L. Thomé3

(2012)

Single crystals of 6H-SiC were implanted at room temperature with 4-MeV Au ions to a fluence of 1015cm 2. Raman spectra showed that full amorphization was achieved. The recrystallization process was studied by micro-Raman spectrometry after isochronal thermal annealing between 700 and 1500 C. The spectra permitted the evolution upon annealing of Si-C bonds, and also of Si-Si and C-C bonds, to be followed. Amorphous phase relaxation takes place below 700 C; then recrystallization of the 6H polytype sets in at 700 C. At 900 C crystallites with different crystalline states are formed. Moreover, Raman spectra provide evidence of graphitic nanocluster formation at 1500 C.

1 :	SRMP - Service de recherches de métallurgie physique
2 :	CENBG - Centre d'Etudes Nucléaires de Bordeaux Gradignan
3 :	CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse

équipe(s) de recherche : INSTRU CSNSM PCI

Thème(s)

:

Planète et Univers/Sciences de la Terre/Minéralogie

Mot(s)-clé(s) : SiC – Raman spectroscopy – recrystallization – irradiation effects

in2p3-00739573, version 1

http://hal.in2p3.fr/in2p3-00739573

oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00739573

Contributeur : Nathalie Martin <>

Déposé pour le compte de : Stéphanie SORIEUL <>

Soumis le : Lundi 8 Octobre 2012, 14:49:44

Dernière modification le : Vendredi 16 Novembre 2012, 17:24:11