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Journal of Raman Spectroscopy 43 (2012) 939-944
Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy
F. Linez1, A. Canizares1, A. Gentils2, G. Guimbretiere1, P. Simon1, M.-F. Barthe1
1:  CEMHTI - Conditions Extrêmes et Matériaux : Haute Température et Irradiation
2:  CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse
Chemical Sciences/Material chemistry