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Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy
Linez F., Canizares A., Gentils A., Guimbretiere G., Simon P. et al
Journal of Raman Spectroscopy 43 (2012) 939-944 - http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00750912
Chimie/Matériaux
Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy
F. Linez1, A. Canizares1, A. Gentils2, G. Guimbretiere1, P. Simon1, M.-F. Barthe1
1 :  CEMHTI - Conditions Extrêmes et Matériaux : Haute Température et Irradiation
http://crmht.cnrs-orleans.fr/
CNRS : UPR3079 – Université d'Orléans
Site Cyclotron 3A rue de la Férolerie 45071 Orléans Cedex 2
France
2 :  CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse
http://www-csnsm.in2p3.fr/
CNRS : UMR8609 – IN2P3 – Université Paris XI - Paris Sud
batiments 104 et 108 - 91405 Orsay Campus
France
Anglais
2012

Journal of Raman Spectroscopy
Publisher Wiley-Blackwell
ISSN 0377-0486 (eISSN : 1097-4555)
internationale
Articles dans des revues avec comité de lecture
2012
43
939-944

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