| HAL : in2p3-00001964, version 1 |
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| International Conference on Amorphous Semiconductors - Science and Technology 14 ICAS 14, Garmisch-Partenkirchen : Germany |
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| Kinetics of formation of silicides in a-Si:H/Pd interfaces monitored by in situ ellipsometry and Kelvin probe techniques |
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| I Cabarrocas P. RocaM. StchakovskyB. DrevillonF. Fortuna1H. Bernas1 |
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| (1991) |
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| 1 : | CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse |
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| in2p3-00001964, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00001964 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00001964 | |
| Contributeur : Jocelyne Lorgeril | |
| Soumis le : Vendredi 7 Mai 1999, 10:57:39 | |
| Dernière modification le : Vendredi 7 Mai 1999, 10:57:39 | |