| HAL : in2p3-00002169, version 1 |
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| Microscopy of Semiconducting Materials, Oxford : Royaume-Uni |
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| Transmission electron microscope investigations of defects produced by individual displacement cascades in Si and Ge |
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| M.O. Ruault1W. Jager |
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| (1980) |
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| 1 : | CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse |
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| in2p3-00002169, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00002169 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00002169 | |
| Contributeur : Jocelyne Lorgeril | |
| Soumis le : Mercredi 19 Mai 1999, 16:36:40 | |
| Dernière modification le : Mercredi 19 Mai 1999, 16:36:40 | |