| HAL : in2p3-00002768, version 1 |
| Fiche détaillée | Récupérer au format |
|
|
| Université Paris Sud - Paris XI (1995) |
|
|
|
|
| Rugosite et instabilites de croissance lors de l'epitaxie du silicium en phase solide : role de l'irradiation ionique |
|
|
| F. Fortuna1 |
|
|
| (1995) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 1 : | CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse |
|
|
|
|
|
|
|
|
| in2p3-00002768, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00002768 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00002768 | |
| Contributeur : Jocelyne Lorgeril | |
| Soumis le : Jeudi 2 Septembre 1999, 10:02:00 | |
| Dernière modification le : Jeudi 2 Septembre 1999, 10:02:00 | |