| HAL : in2p3-00002775, version 1 |
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| Université Paris Sud - Paris XI (1991) |
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| Implantation, desordre et precipitation dans un semiconducteur III-V (InP); Formation de couches epitaxiees par implantation dans Ti et TiAl: Etude par microscopie electronique en transmission in situ |
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| P. Zheng1 |
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| (1991) |
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| 1 : | CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse |
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| in2p3-00002775, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00002775 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00002775 | |
| Contributeur : Jocelyne Lorgeril | |
| Soumis le : Jeudi 2 Septembre 1999, 11:18:40 | |
| Dernière modification le : Jeudi 2 Septembre 1999, 11:18:40 | |