| HAL : in2p3-00013379, version 1 |
| Fiche détaillée | Récupérer au format |
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| 1998 International Conference on Ion Implantation Technology, Kyoto : Japon |
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| Crystalline effect on the lateral spread of implanted ions |
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| S.T. NakagawaY. HadaL. Thome1 |
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| (1998) |
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| 1 : | CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse |
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| in2p3-00013379, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00013379 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00013379 | |
| Contributeur : Jocelyne Lorgeril | |
| Soumis le : Mercredi 29 Mars 2000, 16:59:56 | |
| Dernière modification le : Mercredi 29 Mars 2000, 16:59:56 | |