HAL : in2p3-00742518, version 1

DOI : 10.1103/PhysRevB.86.100102

Fiche détaillée

Récupérer au format BibTeX - EndNote - TEI - RefWorks -

Physical Review B 86 (2012) 100102

Combined experimental and computational study of the recrystallization process induced by electronic interactions of swift heavy ions with silicon carbide crystals

A. Debelle1, M. Backman, L. Thome1, W. J. Weber, M. Toulemonde2, S. Mylonas1, Alexandre Boulle3, O. H. Pakarinen, N. Juslin, F. Djurabekova, K. Nordlund, F. Garrido1, D. Chaussende4

(2012)

The healing effect of intense electronic energy deposition arising during swift heavy ion (SHI) irradiation is demonstrated in the case of 3C-SiC damaged by nuclear energy deposition. Experimental (ion channeling experiments) and computational (molecular dynamics simulations) studies provide consistent indications of disorder decrease after SHI irradiation. Furthermore, both methods establish that SHI-induced recrystallization takes place at amorphous-crystalline interfaces. The recovery process is unambiguously accounted for by the thermal spike phenomenon.

1 :	CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse
2 :	Univ Caen, ENSICAEN, CNRS, CEA,CIMAP, F-14050 Caen 4, France
3 :	SPCTS - Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface
4 :	LMGP - Laboratoire des matériaux et du génie physique

équipe(s) de recherche : Axe 3 : organisation structurale multiéchelle des matériaux CSNSM PCI

Thème(s)

:

Physique/Matière Condensée/Science des matériaux

Mot(s)-clé(s) : INORGANIC INSULATORS – COLLISION CASCADES – IRRADIATION – AMORPHIZATION – RADIATION – TRACKS

in2p3-00742518, version 1

http://hal.in2p3.fr/in2p3-00742518

oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00742518

Contributeur : Christine Hadrossek <>

Soumis le : Mardi 16 Octobre 2012, 15:23:51

Dernière modification le : Lundi 26 Novembre 2012, 13:25:28