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Rapid thermal process-induced recombination centers in ion implanted silicon
Eichhammer W., Hage-Ali M., Stuck R., Siffert P.
Applied Physics A: Materials Science and Processing 50 (1990) 405- [in2p3-00016043 - version 1]
Vers une utilisation des recuits transitoires dans la technologie des photopiles a haut rendement a base de silicium monocristallin
Eichhammer W.
Université Louis Pasteur - Strasbourg I (1989) [in2p3-00019118 - version 1]