| HAL : in2p3-00009047, version 1 |
| Fiche détaillée | Récupérer au format |
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| Canadian Journal of Physics 50 (1972) 278-286 |
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| Measurement of branching ratios and lifetimes of levels in $^{30}$Si(from the $^{27}$Al($\alpha$,p, $\gamma$) reaction) |
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| A. Gallmann1F. Haas1M. Toulemonde1 |
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| (1972) |
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| 1 : | IReS - Institut de Recherches Subatomiques |
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| Thème(s) | : | Physique/Physique Nucléaire Expérimentale |
| in2p3-00009047, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00009047 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00009047 | |
| Contributeur : Yvette Heyd | |
| Soumis le : Mardi 15 Mai 2001, 16:22:16 | |
| Dernière modification le : Mardi 15 Mai 2001, 16:22:16 | |