HAL : in2p3-00004207, version 1

DOI : 10.1103/PhysRevLett.63.1930

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Physical Review Letters 63 (1989) 1930-1933

Electron-impact ionization and energy loss of 27 MeV/u Xe$^{35}$ incident ions channeled in silicon

S. Andriamonje1, R. Anne2, N.V. De Castro Faria, M. Chevallier3, C. Cohen, J. Dural, M.J. Gaillard3, R. Genre3, M. Hage-Ali4, R. Kirsch3, A. L'Hoir, B. Farizon-Mazuy3, J. Mory, J. Moulin, J.-C. Poizat3, Y. Quere, J. Remillieux3, D. Schmaus, M. Toulemonde5

(1989)

1 :	CENBG - Centre d'Etudes Nucléaires de Bordeaux Gradignan
2 :	GANIL - Grand Accélérateur National d'Ions Lourds
3 :	IPNL - Institut de Physique Nucléaire de Lyon
4 :	IReS - Institut de Recherches Subatomiques
5 :	CIRIL (GANIL) - Centre Interdisciplinaire de Recherche Ions Lasers

équipe(s) de recherche : CAS-PHABIO

in2p3-00004207, version 1

http://hal.in2p3.fr/in2p3-00004207

oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00004207

Contributeur : Sylvie Florès <>

Soumis le : Lundi 20 Mars 2000, 12:01:20

Dernière modification le : Vendredi 20 Juin 2008, 13:33:52