.:. Consulter > Par année de publication > 1989 .:.

637 Documents classés par :  Date Titre Nom du premier auteur Type de documents Date de dépôt

1 - 2 - 3 - 4 - 5 - 6 - 7 ...

Les Forces a Trois Corps, l'Equation d'Etat... Mathiot J.F. Dans Journees d'Etudes Saturne - Journees d'Etudes Saturne 5, France [in2p3-00009497 - version 1]

Excitations de Spin-Isospin Induites par Ions Lourds aux Energies Saturne Hennino T. Dans Journees d'Etudes Saturne - Journees d'Etudes Saturne 5, France [in2p3-00009496 - version 1]

Reponse de Spin dans les Noyaux en (p,p') et (d,d') Polarises ou Non Morlet M. Dans Journees d'Etudes Saturne - Journees d'Etudes Saturne 5, France [in2p3-00009495 - version 1]

Etat Actuel de l'Etude des Structures Dibaryoniques Willis N., Comets M.P., Le Bornec Y., Loireleux E., Tatischeff B. Dans Journees d'Etudes Saturne - Journees d'Etudes Saturne 5, France [in2p3-00009494 - version 1]

Positron annihilation studies in solid lanthanides trisdipivaloylmethanates mod Ln(dpm)$_$ mod Marques Netto A., Silva M.E.S.R., Machado J.C., Maximo Bicalho S.M.C., Abbe J.C. et al Dans Positron annihilation - Positron Annihilation, Belgique [in2p3-00009463 - version 1]

Size of voids in polyethylene Abbe J.C., Duplatre G., Serna J. Dans Positron annihilation - Positron annihilation, Belgique [in2p3-00009462 - version 1]

Application of positron annihilation lifetime spectroscopy to a study of N-benzoyl-N-phenyl hydroxylamine associations in solution Machado J.C., Magalhaes W.F., Marques Netto A., Abbe J.C., Duplatre G. Chemical Physics Letters 163 (1989) 140-144 [in2p3-00009461 - version 1]

Damage related deep electronic levels in silicon irradiated with 1.6 GeV Ar ions Krynicki J., Toulemonde M., Muller J.C., Siffert P. Radiation Effects and Defects in Solids 110 (1989) 203-205 [in2p3-00019456 - version 1]

Electron properties of defects created by 1.6 GeV argon ions in silicon Krynicki J., Toulemonde M., Muller J.C., Siffert P. Materials Science and Engineering B2 (1989) 105-110 [in2p3-00019455 - version 1]

Inhomogeneous defect activation by rapid thermal processes in silicon Thong-Quat V., Eichhammer W., Siffert P. Applied Physics Letters 54 (1989) 1235-1237 [in2p3-00019454 - version 1]