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| HAL : hal-00264791, version 1 |
| DOI : 10.1002/9780470168264.ch26 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Future trends in microelectronics, S. Luryi, J. Xu, and A. Zaslavsky (Ed.) (2007) 296-303 |
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| Absolute negative resistance in ballistic variable threshold field effect transistors |
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| Michel Dyakonov1Michael Shur |
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| (2007) |
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| This chapter contains sections titled: * Acknowledgments * References |
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| 1 : | LPTA - Laboratoire de Physique Théorique et Astroparticules |
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| Domaine | : | Sciences de l'ingénieur/Electronique Physique/Matière Condensée/Systèmes mésoscopiques et effet Hall quantique |
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| negative resistance – ballistic variable threshold effect transistor – Bernaulli's law – gate-to-channel capacitance – electron concentration |
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| hal-00264791, version 1 | |
| http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00264791 | |
| oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00264791 | |
| Contributeur : Logiciel Aigle | |
| Déposé pour le compte de : | |
| Soumis le : Lundi 17 Mars 2008, 20:22:45 | |
| Dernière modification le : Lundi 17 Mars 2008, 20:22:45 | |
