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Future trends in microelectronics, S. Luryi, J. Xu, and A. Zaslavsky (Ed.) (2007) 296-303
Absolute negative resistance in ballistic variable threshold field effect transistors
Michel Dyakonov1, Michael Shur
(2007)

This chapter contains sections titled: * Acknowledgments * References
1 :  LPTA - Laboratoire de Physique Théorique et Astroparticules
Sciences de l'ingénieur/Electronique

Physique/Matière Condensée/Systèmes mésoscopiques et effet Hall quantique
negative resistance – ballistic variable threshold effect transistor – Bernaulli's law – gate-to-channel capacitance – electron concentration