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| HAL : hal-00750912, version 1 |
| DOI : 10.1002/jrs.3118 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Journal of Raman Spectroscopy 43 (2012) 939-944 |
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| Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy |
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| F. Linez1A. Canizares1A. Gentils2G. Guimbretiere1P. Simon1M.-F. Barthe1 |
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| (2012) |
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| 1 : | CEMHTI - Conditions Extrêmes et Matériaux : Haute Température et Irradiation |
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| 2 : | CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse |
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| Domaine | : | Chimie/Matériaux |
| hal-00750912, version 1 | |
| http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00750912 | |
| oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00750912 | |
| Contributeur : Patrick Simon | |
| Soumis le : Lundi 12 Novembre 2012, 16:34:37 | |
| Dernière modification le : Lundi 12 Novembre 2012, 16:34:37 | |
