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| HAL : in2p3-00001295, version 1 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Trends and New Applications in Thin Films, Regensburg : Allemagne |
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| Oxynytride layers obtained by anodic oxidation of plama-enhanced chemically vapour deposited Si$_3$N$_4$ films |
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| I. MonteroO. SanchezJ.M. AlbellaJ.C. Pivin1 |
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| (1989) |
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| 1 : | CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse |
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| in2p3-00001295, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00001295 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00001295 | |
| Contributeur : Jocelyne Lorgeril | |
| Soumis le : Vendredi 2 Avril 1999, 10:52:15 | |
| Dernière modification le : Vendredi 2 Avril 1999, 10:52:15 | |
