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| HAL : in2p3-00007487, version 1 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| International Symposium on Chemical Vapor Deposition : CDV-XIV and EUROCVD11, Paris : France (1997) |
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| Ion beam analysis of ternary silicides me-Si-N (Me = Re Ta Ti W) thin films used as diffusion barriers in advanced metallization |
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| R. Somatri-Bouamrane1N. Chevarier1A. Chevarier1A.M. DutronE. BlanquetR. Madar |
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| (1997) |
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| 1 : | IPNL - Institut de Physique Nucléaire de Lyon |
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| Thème(s) | : | Physique/Physique Nucléaire Expérimentale |
| in2p3-00007487, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00007487 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00007487 | |
| Contributeur : Sylvie Florès | |
| Soumis le : Vendredi 20 Novembre 1998, 11:20:42 | |
| Dernière modification le : Vendredi 20 Novembre 1998, 11:20:42 | |
