Characteristics and window thicknesses of ion implanted semiconductor detectors

P. Sebillotte; P. Siffert; A. Coche

HAL : in2p3-00007963, version 1

Characteristics and window thicknesses of ion implanted semiconductor detectors
Sebillotte P., Siffert P., Coche A.
IEEE Transactions on Nuclear Science 17 (1970) 24-32 - http://hal.in2p3.fr/in2p3-00007963

Titre :

Characteristics and window thicknesses of ion implanted semiconductor detectors

Auteur :

P. Sebillotte, P. Siffert¹, A. Coche¹

Laboratoire :

1 :	IReS - Institut de Recherches Subatomiques

http://ireswww.in2p3.fr/

CNRS : UMR7500 – IN2P3 – Université Louis Pasteur - Strasbourg I – Cancéropôle du Grand Est

23 rue du Loess - BP 28 - 67037 Strasbourg Cedex 2

France

Type de publication :

Articles dans des revues avec comité de lecture

Date de publication
ou d'écriture :

1970

Nom du périodique :

IEEE Transactions on Nuclear Science (IEEE Trans. Nucl. Sci.)
Publisher	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
ISSN	0018-9499

Volume :

Page/Article :

24-32


in2p3-00007963, version 1
http://hal.in2p3.fr/in2p3-00007963
oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00007963
Contributeur : Yvette Heyd <>
Soumis le : Mardi 2 Janvier 2001, 13:13:14
Dernière modification le : Mardi 2 Janvier 2001, 13:13:14