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| HAL : in2p3-00018425, version 1 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Proceedings of the 2nd International Conference on ion implantation in semiconductors, physics and technology, fundamental and applied aspects (1971) 420-429 |
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| Boron implanted contacts on high purity germanium (application to nuclear counters) |
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| J.P. Ponpon1J.J. Grob1R. Stuck1P. BurgerP. Siffert1 |
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| (1971) |
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| 1 : | IReS - Institut de Recherches Subatomiques |
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| in2p3-00018425, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00018425 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00018425 | |
| Contributeur : Yvette Heyd | |
| Soumis le : Mercredi 20 Décembre 2000, 14:04:26 | |
| Dernière modification le : Mercredi 20 Décembre 2000, 14:04:26 | |
