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| HAL : in2p3-00018451, version 1 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Solid-State Electronics 17 (1974) 1293-1297 |
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| Thermally stimulated current measurements on silicon junctions produced by implantation of low energy boron ions |
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| J.C. MullerR. Stuck1R. BergerP. Siffert1 |
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| (1974) |
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| 1 : | IReS - Institut de Recherches Subatomiques |
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| in2p3-00018451, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00018451 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00018451 | |
| Contributeur : Yvette Heyd | |
| Soumis le : Jeudi 21 Décembre 2000, 08:48:05 | |
| Dernière modification le : Jeudi 21 Décembre 2000, 08:48:05 | |
