s'authentifier
version française rss feed
HAL : in2p3-00018451, version 1

Fiche détaillée  Récupérer au format
Solid-State Electronics 17 (1974) 1293-1297
Thermally stimulated current measurements on silicon junctions produced by implantation of low energy boron ions
J.C. Muller, R. Stuck1, R. Berger, P. Siffert1
(1974)
1 :  IReS - Institut de Recherches Subatomiques