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| HAL : in2p3-00018479, version 1 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Radiation Effects 7 (1971) 7-15 |
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| Low energy boron implantation profiles in silicon from junction depth measurements |
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| P. SebillotteM. BadanoiuV.B. Ndocko-Ndongue1P. Siffert |
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| (1971) |
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| 1 : | IReS - Institut de Recherches Subatomiques |
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| Thème(s) | : | Physique/Physique Nucléaire Expérimentale |
| in2p3-00018479, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00018479 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00018479 | |
| Contributeur : Yvette Heyd | |
| Soumis le : Vendredi 22 Décembre 2000, 09:45:54 | |
| Dernière modification le : Jeudi 24 Août 2006, 11:28:51 | |
