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| HAL : in2p3-00019164, version 1 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Université Louis Pasteur - Strasbourg I (1990) |
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| Role des recuits transitoires dans la generation des defauts electriquement actifs dans le silicium: effet Getter |
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| B. Hartiti1 |
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| (1990) |
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| 1 : | IReS - Institut de Recherches Subatomiques |
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| in2p3-00019164, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019164 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00019164 | |
| Contributeur : Yvette Heyd | |
| Soumis le : Lundi 26 Février 2001, 13:36:12 | |
| Dernière modification le : Lundi 26 Février 2001, 13:36:12 | |
