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| HAL : in2p3-00019296, version 1 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Physica Status Solidi A 100 (1987) 245-249 |
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| Study of defects in silicon after low energy h+ implantation by dlts measurements |
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| J. KrynickiJ.C. Muller1P. Siffert1I. BrylowskaK. Paprocki |
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| (1987) |
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| 1 : | IReS - Institut de Recherches Subatomiques |
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| in2p3-00019296, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019296 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00019296 | |
| Contributeur : Yvette Heyd | |
| Soumis le : Jeudi 26 Avril 2001, 14:06:19 | |
| Dernière modification le : Jeudi 26 Avril 2001, 14:06:19 | |
