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| HAL : in2p3-00019444, version 1 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Materials Science and Engineering B10 (1991) L11-L14 |
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| The use of rapid thermal annealing for studying contamination in silicon |
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| B. HartitiA. Slaoui1J.C. Muller1P. Siffert1 |
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| (1991) |
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| 1 : | IReS - Institut de Recherches Subatomiques |
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| Thème(s) | : | Physique/Physique/Instrumentations et Détecteurs |
| in2p3-00019444, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019444 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00019444 | |
| Contributeur : Yvette Heyd | |
| Soumis le : Mercredi 30 Mai 2001, 10:37:16 | |
| Dernière modification le : Mercredi 30 Mai 2001, 10:37:16 | |
