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HAL : in2p3-00019447, version 1

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Annealing kinetics during rapid thermal processing of excimer laser-induced defects in virgin silicon
Hartiti B., Slaoui A., Muller J.C., Siffert P.
Applied Surface Science 46 (1990) 371-374 - http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019447
Annealing kinetics during rapid thermal processing of excimer laser-induced defects in virgin silicon
B. Hartiti1, A. Slaoui1, J.C. Muller1, P. Siffert1
1 :  IReS - Institut de Recherches Subatomiques
http://ireswww.in2p3.fr/
CNRS : UMR7500 – IN2P3 – Université Louis Pasteur - Strasbourg I – Cancéropôle du Grand Est
23 rue du Loess - BP 28 - 67037 Strasbourg Cedex 2
France

Articles dans des revues avec comité de lecture
1990
Applied Surface Science (Appl. Surf. Sci.)
Publisher Elsevier
ISSN 0169-4332 
46
371-374