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| HAL : in2p3-00019453, version 1 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Materials Science and Engineering B4 (1989) 257-260 |
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| Thermal annealing of excimer-laser-induced defects in virgin silicon |
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| B. Hartiti1A. Slaoui1J.C. Muller1P. Siffert1 |
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| (1989) |
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| 1 : | IReS - Institut de Recherches Subatomiques |
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| in2p3-00019453, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019453 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00019453 | |
| Contributeur : Yvette Heyd | |
| Soumis le : Mercredi 30 Mai 2001, 13:47:32 | |
| Dernière modification le : Mercredi 30 Mai 2001, 13:47:32 | |
