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HAL : in2p3-00019456, version 1

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Damage related deep electronic levels in silicon irradiated with 1.6 GeV Ar ions
Krynicki J., Toulemonde M., Muller J.C., Siffert P.
Radiation Effects and Defects in Solids 110 (1989) 203-205 - http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019456
Damage related deep electronic levels in silicon irradiated with 1.6 GeV Ar ions
J. Krynicki, M. Toulemonde, J.C. Muller1, P. Siffert1
1 :  IReS - Institut de Recherches Subatomiques
http://ireswww.in2p3.fr/
CNRS : UMR7500 – IN2P3 – Université Louis Pasteur - Strasbourg I – Cancéropôle du Grand Est
23 rue du Loess - BP 28 - 67037 Strasbourg Cedex 2
France

Articles dans des revues avec comité de lecture
1989
Radiation Effects and Defects in Solids (Radiat. Eff. Defects Solids)
Publisher Taylor & Francis: STM, Behavioural Science and Public Health Titles
ISSN 1042-0150 
110
203-205