Damage related deep electronic levels in silicon irradiated with 1.6 GeV Ar ions

J. Krynicki; M. Toulemonde; J.C. Muller; P. Siffert

HAL : in2p3-00019456, version 1

Damage related deep electronic levels in silicon irradiated with 1.6 GeV Ar ions
Krynicki J., Toulemonde M., Muller J.C., Siffert P.
Radiation Effects and Defects in Solids 110 (1989) 203-205 - http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019456

Titre :

Damage related deep electronic levels in silicon irradiated with 1.6 GeV Ar ions

Auteur :

J. Krynicki, M. Toulemonde, J.C. Muller¹, P. Siffert¹

Laboratoire :

1 :	IReS - Institut de Recherches Subatomiques

http://ireswww.in2p3.fr/

CNRS : UMR7500 – IN2P3 – Université Louis Pasteur - Strasbourg I – Cancéropôle du Grand Est

23 rue du Loess - BP 28 - 67037 Strasbourg Cedex 2

France

Type de publication :

Articles dans des revues avec comité de lecture

Date de publication
ou d'écriture :

1989

Nom du périodique :

Radiation Effects and Defects in Solids (Radiat. Eff. Defects Solids)
Publisher	Taylor & Francis: STM, Behavioural Science and Public Health Titles
ISSN	1042-0150

Volume :

110

Page/Article :

203-205


in2p3-00019456, version 1
http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019456
oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00019456
Contributeur : Yvette Heyd <>
Soumis le : Mercredi 30 Mai 2001, 14:34:26
Dernière modification le : Mercredi 30 Mai 2001, 14:34:26