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| HAL : in2p3-00019463, version 1 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Applied Physics A: Materials Science and Processing 42 (1987) 227-232 |
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| Rapid thermal annealing of electrically-active defects in virgin and implanted silicon |
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| W.O. Adekoya1J.C. Muller1P. Siffert1 |
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| (1987) |
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| 1 : | IReS - Institut de Recherches Subatomiques |
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| in2p3-00019463, version 1 | |
| http://hal.in2p3.fr/in2p3-00019463 | |
| oai:hal.in2p3.fr:in2p3-00019463 | |
| Contributeur : Yvette Heyd | |
| Soumis le : Jeudi 31 Mai 2001, 08:10:44 | |
| Dernière modification le : Jeudi 31 Mai 2001, 08:10:44 | |
